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（原标题：拓荆科技――踏遍荆棘冲破国际巨头垄断）
拓荆科技的出现，拓出了一条令人瞩目的国产化之路。
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在高端半导体制造中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成了芯片制造三大核心设备。其中，薄膜沉积设备常年占据晶圆制造设备市场五分之一以上的市场份额，但该行业呈现垄断竞争的局面，市场长期由国际巨头把持。
拓荆科技的出现，在国际巨头垄断、荆棘密布的薄膜沉积设备市场上，拓出了一条令人瞩目的国产化之路。拓荆科技董事长吕光泉表示，2024年中国大陆薄膜沉积设备市场推算约为97亿美元，其中公司覆盖的产品市场规模约48.5亿美元，而公司对应产品收入41亿元，市场份额占比约12%。
目前，拓荆科技主要从事PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、Gap Fill（沟槽填充）等薄膜沉积设备的研发和产业化应用，可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料约100多种工艺应用。吕光泉认为，拓荆科技的市场份额依然有较大提升空间。
不可否认，在薄膜沉积设备领域，中外差距依然存在。吕光泉表示，在先进技术方面，国产厂商相较海外龙头而言，起步虽然相对较晚，面临国际设备厂商的竞争和挑战，国产厂商通过自主创新不断实现技术突破，展示出强劲的潜力。
从工艺覆盖度、量产设备性能指标来看，中国企业正迎头赶上。吕光泉表示：“从技术水平来看，近年来中国大陆半导体产业发展迅速，以公司为代表的厂商在薄膜沉积设备领域实现持续突破和快速发展，工艺覆盖度不断提高，已量产设备性能指标可达到国际同类设备先进水平。”
这背后，是以拓荆科技为代表的企业持续进行技术攻关，啃下一个个“硬骨头”。拓荆科技先后承担了11项国家重大专项或课题。截至2024年12月底，公司累计申请专利1640项（含PCT），获得授权专利507项。通过自主研发，公司已形成一系列独创性的设计，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术。
面向未来，当“后摩尔时代”芯片制程持续缩小接近物理极限，更高的性能芯片就要通过新的芯片设计架构和芯片堆叠方式来实现，由此催生了三维集成领域的半导体设备新需求。三维集成领域的产品有望成为拓荆科技业绩增长“新引擎”。目前，拓荆科技晶圆对晶圆混合键合设备等已经获得重复订单并扩大产业化应用，芯片对晶圆混合键合设备也实现出货，同时，开发的配套检测设备已实现了产业化应用。
“我们正提前布局往后两代、三代产品的技术，现在公司70%的产品都是新工艺、先进工艺所需要的。”吕光泉表示。
责编：李丹
校对：冉燕青
